А.Н. Сауров, С.В. Булярский. Физика полупроводниковых преобразователей

В коллективной монографии излагаются физические процессы и механизмы, приводящие к снижению эффективности преобразования неэлектрических величин в электрический ток. Изучается природа возрастания обратных токов р-п-переходов и диодов Шоттки связанная с образованием рекомбинационных центров в областях пространственного заряда этих приборов. Разработана модель переноса носителей заряда, которая объединяет и обобщает известные механизмы формирования обратных токов, а именно: диффузионный, прыжковый и туннельный, формулирует критерии преобладания конкретного механизма. В работе рассчитана вероятность электронных переходов с учетом электрон-фононного взаимодействия, которая объясняет быстрое нарастание обратных токов с ростом приложенного напряжения.

Преобразование разнообразных неэлектрических сигналов в электрические занимает в современной технике важное место. Это информационные системы контроля, принимающие сигналы от разнообразных датчиков, приемники излучений (оптического, рентгеновского), сигналы от частиц высоких энергий, "ядерные" батарейки и многие другие устройства. Преобразователь в обязательном порядке содержит полупроводниковый диод или транзистор, которые участвуют в процессе преобразования и усиления сигналов. Эффективность преобразования определяется величиной обратных токов. Механизмы их формирования достаточно сложные; именно они и являются главным предметом обсуждения в предлагаемой на суд читателей монографии.

Книга содержит материал, как обучающего, так и научного характера. Она будет полезна ученым и инженерам, работающим в полупроводниковой отрасли, а также студентами аспирантам, обучающимся в этом направлении.

Издательство: Ин-т нанотехнологий микроэлектроники РАН
Год: 2018
Страниц: 280
Язык: русский
Формат: pdf

 

Скачать книгу (16,6 МБ):